구상 질화알루미늄

질화알루미늄(AlN)은 높은 열전도도와 전기 절연성을 동시에 갖춘 초고방열 소재로, 알루미나만으로는 대응이 어려운 고방열·고절연 영역에 적합합니다.

기존의 분무건조(spray-dry) 방식 AlN은 여러 입자가 뭉친 응집체 형태로 입경이 크고 점도가 높아 충진성이 떨어지고, 반도체용으로는 한계가 있습니다.

TTC첨단소재는 열플라즈마 구상화 공정으로 하나의 완전한 구(球)를 이루는 ‘구상 AlN 단일입자’를 개발하고 있으며, 현재 샘플 제작 및 특성 평가 단계에 있습니다. 차세대 반도체 열관리 소재로의 적용을 목표로 개발을 진행 중입니다.